Создан новый тип памяти, работающий в сотни раз быстрее обычной

Интернациональная группа из исследователей Национальной лаборатории в Тайване и Калифорнийского университета разработала новый электронный носитель памяти, который работает с данными в сто раз быстрее, чем самые быстродействующие носители памяти, которые существуют на данный момент. В состав новой памяти входит слой диэлектрического материала, в который включены дискретные кремниевые наноточки с диаметром всего лишь 3 нм. Каждая из таких наноточек способна хранить 1 бит информации. Чтобы над памятью можно было совершать операции, всю структуру покрыли слоем металла, выступающего в роли управляющего электрода или, другими словами, затвора. Наноточка из кремния, металлический управляющий электрод и диэлектрический материал в совокупности становятся полевым транзистором, способным быть в активном или неактивном состоянии. Если использовать массивы из определенного количества этих транзисторов, можно создать носитель памяти любой ёмкости. А его быстродействие обеспечивает технология сверхкоротких вспышек света лазера, который будет активировать наноточку и считывать с нее информацию. Как заявляют разработчики новинки, данный тип носителя памяти станет одним из самых долговечных и надежных. Если одна наноточка повредится, это никак не повлияет на другую и не повлечет за собой потерю больших объемов информации.