Компании IBM, AMD, Freescale, Toshiba и колледж науки и техники наномасштабов (College of Nanoscale Science and Engineering) первыми в мире создали модуль памяти SRAM с соблюдением 22-нанометрового технологического процесса, сообщается в пресс-релизе IBM.
Изготовлен модуль памяти был в Нью-Йоркской лаборатории IBM на базе 300-миллиметровых кремниевых подложек. Площадь ячейки, включающей шесть транзисторов, равна 0,1 микрометра. Представители IBM подчеркивают, что изготовленный модуль является не прототипом, а реально работающим образцом.
Создан модуль памяти с использованием технологии high-k/metal gate. Это значит, что диоксид кремния в электроде затвора транзистора заменяется сплавом на основе гафния, который является хорошим диэлектриком. Такой метод производства позволяет уменьшить размеры транзисторов.
Модули памяти SRAM являются частью процессора. Он служит для временного хранения данных, обрабатываемых чипом.
Подробности о ячейки памяти SRAM, изготовленной по 22-нанометровой технологии, IBM сообщит в декабре текущего года на конференции International Electron Devices.
В середине апреля альянс производителей чипов, возглавляемый IBM, представил процессор, выполненный по 32-нанометровому технологическому процессу. Ожидается, что в продаже чипы появятся до конца текущего года.
Создан альянс был в декабре 2007 года. В него вошли компании IBM, Toshiba, AMD, Samsung, Chartered, Infineon и Freescale. Деятельность альянса продлится до 2010 года.