Источник: Klerkru
Компании IBM и TDK разрабатывают новый тип компьютерной памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer Random Access Memory). Новый тип оперативной памяти базируется на принципиально новом принципе работы.
В STT-RAM электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля. В свою очередь направление магнитного поля вызывает изменение в сопротивлении. Именно эти перемены в сопротивлении в являются логическими нулями и единицами.
В сообщении IBM и TDK сказано, что в настоящий момент технология находится в процессе создания рабочего прототипа 65нм чипа памяти. Однако его рабочая версия будет создана только через три-четыре года.